- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Správy z priemyslu
Čínske spoločnosti údajne vyvíjajú 5nm čipy s Broadcom!
Podľa zahraničných správ dva zdroje 24. júna odhalili, že ByteDance spolupracuje s americkou čipovou spoločnosťou Broadcom na vývoji pokročilého výpočtového procesora s umelou inteligenciou (AI), ktorý pomôže ByteDance zabezpečiť primeranú dodávku špičkových čipov uprostred napätia medzi Čínou. a Sp......
Čítaj viac
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: Očakáva sa, že 8-palcové SiC čipy budú uvedené do výroby v decembri!
Ako popredný výrobca v priemysle SiC si dynamika spoločnosti Sanan Optoelectronics získala širokú pozornosť v tomto odvetví. Nedávno spoločnosť Sanan Optoelectronics zverejnila sériu najnovšieho vývoja, ktorý zahŕňal 8-palcovú transformáciu, výrobu nových substrátov, zakladanie nových spoločností, v......
Čítaj viac
Aplikácia grafitových dielov potiahnutých TaC v jednokryštálových peciach
Pri raste monokryštálov SiC a AlN pomocou metódy fyzického transportu pár (PVT) hrajú zásadnú úlohu kľúčové komponenty, ako je téglik, držiak očiek a vodiaci krúžok. Ako je znázornené na obrázku 2 [1], počas procesu PVT je zárodočný kryštál umiestnený v oblasti nižšej teploty, zatiaľ čo surovina SiC......
Čítaj viac
Rôzne technické spôsoby epitaxnej rastovej pece SiC
Substráty z karbidu kremíka majú veľa defektov a nedajú sa priamo spracovať. Na výrobu plátkov čipov je potrebné na nich vypestovať špecifický tenký kryštálový film prostredníctvom epitaxného procesu. Tento tenký film je epitaxiálna vrstva. Takmer všetky zariadenia z karbidu kremíka sú realizované n......
Čítaj viac
Materiál epitaxie karbidu kremíka
Materiál epitaxiálnej vrstvy karbidu kremíka je karbid kremíka, ktorý sa zvyčajne používa na výrobu vysokovýkonných elektronických zariadení a LED diód. Je široko používaný v polovodičovom priemysle vďaka svojej vynikajúcej tepelnej stabilite, mechanickej pevnosti a vysokej elektrickej vodivosti.
Čítaj viac
