Domov > Produkty > Povlak z karbidu kremíka > Proces RTA/RTP > Susceptor rýchleho tepelného žíhania
Susceptor rýchleho tepelného žíhania
  • Susceptor rýchleho tepelného žíhaniaSusceptor rýchleho tepelného žíhania
  • Susceptor rýchleho tepelného žíhaniaSusceptor rýchleho tepelného žíhania
  • Susceptor rýchleho tepelného žíhaniaSusceptor rýchleho tepelného žíhania

Susceptor rýchleho tepelného žíhania

VeTek Semiconductor je popredným výrobcom a inovátorom susceptorov rýchleho tepelného žíhania v Číne. Už mnoho rokov sa špecializujeme na povlakový materiál SiC. Ponúkame susceptor rýchleho tepelného žíhania s vysokou kvalitou, odolnosťou voči vysokým teplotám, super tenkým. Vítame vás na návšteve nášho továreň v Číne.

Odoslať dopyt

Popis produktu

Susceptor na rýchle tepelné žíhanie VeTek Semiconductor má vysokú kvalitu a dlhú životnosť, vitajte, ak nás požiadate.

Rýchle tepelné žíhanie (RTA) je kľúčovou podskupinou rýchleho tepelného spracovania používaného pri výrobe polovodičových zariadení. Ide o zahrievanie jednotlivých doštičiek na úpravu ich elektrických vlastností prostredníctvom rôznych cielených tepelných úprav. Proces RTA umožňuje aktiváciu dopujúcich látok, zmenu rozhraní film-film alebo film-platnička, zahusťovanie nanesených filmov, modifikáciu stavov pestovaného filmu, opravu poškodenia implantáciou iónov, pohyb dopantu a pohon dopantov medzi filmami alebo do oblátkového substrátu.

Produkt VeTek Semiconductor, Rapid Thermal Annealing Susceptor, hrá dôležitú úlohu v procese RTP. Je vyrobený z vysoko čistého grafitového materiálu s ochranným povlakom z inertného karbidu kremíka (SiC). Kremíkový substrát potiahnutý SiC odolá teplotám až do 1100 °C, čím zaisťuje spoľahlivý výkon aj v extrémnych podmienkach. Povlak SiC poskytuje vynikajúcu ochranu proti úniku plynu a uvoľňovaniu častíc, čím zaisťuje dlhú životnosť produktu.

Aby sa zachovala presná kontrola teploty, čip je zapuzdrený medzi dvoma vysoko čistými grafitovými komponentmi potiahnutými SiC. Presné merania teploty je možné získať pomocou integrovaných vysokoteplotných snímačov alebo termočlánkov v kontakte s podkladom.


Základné fyzikálne vlastnosti CVD SiC povlaku:


Základné fyzikálne vlastnosti CVD SiC povlaku
Nehnuteľnosť Typická hodnota
Kryštálová štruktúra FCC β fáza polykryštalická, hlavne (111) orientovaná
Hustota 3,21 g/cm³
Tvrdosť Tvrdosť 2500 Vickers (záťaž 500g)
Veľkosť zrna 2 ~ 10 μm
Chemická čistota 99,99995 %
Tepelná kapacita 640 J·kg-1·K-1
Teplota sublimácie 2700 ℃
Ohybová pevnosť 415 MPa RT 4-bod
Youngov modul Ohyb 430 Gpa 4pt, 1300 ℃
Tepelná vodivosť 300W·m-1·K-1
Tepelná expanzia (CTE) 4,5×10-6K-1


Obchod na výrobu polovodičov VeTek


Prehľad priemyselného reťazca epitaxie polovodičových čipov:


Hot Tags: Susceptor na rýchle tepelné žíhanie, Čína, Výrobca, Dodávateľ, Továreň, Na mieru, Kúpiť, Pokročilý, Odolný, Vyrobený v Číne

Súvisiaca kategória

Odoslať dopyt

Neváhajte a zadajte svoj dopyt vo formulári nižšie. Odpovieme vám do 24 hodín.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept