VeTek Semiconductor SiC Coated ICP Etching Carrier je navrhnutý pre najnáročnejšie aplikácie epitaxných zariadení. Náš nosič na leptanie ICP s povlakom SiC je vyrobený z vysoko kvalitného ultračistého grafitového materiálu a má vysoko plochý povrch a vynikajúcu odolnosť proti korózii, aby odolal drsným podmienkam pri manipulácii. Vysoká tepelná vodivosť nosiča potiahnutého SiC zaisťuje rovnomerné rozloženie tepla pre vynikajúce výsledky leptania. VeTek Semiconductor sa teší na budovanie dlhodobého partnerstva s vami.
With years of experience in production SiC Coated ICP Etching Carrier,VeTek Semiconductor can supply a wide range of Potiahnutýalebopotiahnutá TaC spare parts for semiconductor industry. In addition to the product list below, you can also customize your own unique SiC coated or TaC coated parts according to your specific needs.Welcome to inquiry us.
VeTek Semiconductor's SiC Coated ICP Etching Carrier, also known as ICP carriers, PSS carriers, RTP carriers, or RTP carriers, are important components used in a variety of applications in the semiconductor industry. Silicon carbide coated graphite is the primary material used to manufacture these current carriers. It has high thermal conductivity, more than 10 times the thermal conductivity of sapphire substrate. This property, combined with its high roller electric field strength and maximum current density, has prompted the exploration of silicon carbide as a potential replacement for silicon in a variety of applications, particularly in semiconductor high-power components. SiC current carrier plates have high thermal conductivity, making them ideal for Procesy výroby LED.
Zabezpečujú efektívny rozptyl tepla a poskytujú vynikajúcu elektrickú vodivosť, čo prispieva k výrobe LED diód vysokorýchlostných výkonov. Okrem toho majú tieto nosné dosky vynikajúceodolnosť voči plazme and long service life, ensuring reliable performance and life in the demanding semiconductor manufacturing environment.
Základné fyzikálne vlastnostiCVD SiC povlak | |
Nehnuteľnosť | Typická hodnota |
Kryštálová štruktúra | FCC β fáza polykryštalická, hlavne (111) orientovaná |
Hustota | 3,21 g/cm³ |
Tvrdosť | Tvrdosť 2500 Vickers (záťaž 500g) |
Veľkosť zrna | 2 ~ 10 μm |
Chemická čistota | 99,99995 % |
Tepelná kapacita | 640 J·kg-1·K-1 |
Teplota sublimácie | 2700 ℃ |
Pevnosť v ohybe | 415 MPa RT 4-bod |
Youngov modul | Ohyb 430 Gpa 4pt, 1300 ℃ |
Tepelná vodivosť | 300 W·m-1·K-1 |
Tepelná expanzia (CTE) | 4,5×10-6K-1 |