Držiak oblátky potiahnutý SiC

VeTek Semiconductor je profesionálny výrobca a líder produktov držiakov doštičiek potiahnutých SiC v Číne. Držiak plátku potiahnutý SiC je držiak plátku pre proces epitaxie pri spracovaní polovodičov. Je to nenahraditeľné zariadenie, ktoré stabilizuje oblátku a zabezpečuje rovnomerný rast epitaxnej vrstvy. Vítam vašu ďalšiu konzultáciu.

Odoslať dopyt

Popis produktu

Držiak doštičiek s povlakom SiC od VeTek Semiconductor sa zvyčajne používa na upevnenie a podporu doštičiek počas spracovania polovodičov. Je to vysokovýkonnýnosič oblátokširoko používaný pri výrobe polovodičov. Nanesením vrstvy karbidu kremíka (SiC) na povrchsubstrátprodukt môže účinne zabrániť korózii substrátu a zlepšiť odolnosť proti korózii a mechanickú pevnosť nosiča plátku, čím sa zaistia požiadavky na stabilitu a presnosť procesu spracovania.

Držiak na doštičky potiahnutý SiCsa zvyčajne používa na upevnenie a podporu doštičiek počas spracovania polovodičov. Je to vysokovýkonný nosič doštičiek široko používaný pri výrobe polovodičov. Potiahnutím vrstvoukarbid kremíka (SiC)na povrchu substrátu môže produkt účinne zabrániť korózii substrátu a zlepšiť odolnosť proti korózii a mechanickú pevnosť nosiča plátku, čím sa zabezpečia požiadavky na stabilitu a presnosť procesu spracovania.

Karbid kremíka (SiC) má teplotu topenia približne 2 730 °C a má vynikajúcu tepelnú vodivosť približne 120–180 W/m·K. Táto vlastnosť dokáže rýchlo odviesť teplo pri vysokoteplotných procesoch a zabrániť prehriatiu medzi plátkom a nosičom. Preto držiak oblátok potiahnutý SiC zvyčajne používa ako substrát grafit potiahnutý karbidom kremíka (SiC).

V kombinácii s extrémne vysokou tvrdosťou SiC (tvrdosť podľa Vickersa približne 2 500 HV) môže povlak z karbidu kremíka (SiC) nanesený procesom CVD vytvoriť hustý a silný ochranný povlak, ktorý výrazne zlepšuje odolnosť držiaka plátku s povlakom SiC proti opotrebovaniu. .

VeTek Semiconductor's SiC Coated Wafer Holder je vyrobený z grafitu potiahnutého SiC a je nevyhnutným kľúčovým komponentom v moderných procesoch epitaxie polovodičov. Šikovne kombinuje vynikajúcu tepelnú vodivosť grafitu (tepelná vodivosť je asi 100-400 W/m·K pri izbovej teplote) a mechanickú pevnosť a vynikajúcu chemickú odolnosť proti korózii a tepelnú stabilitu karbidu kremíka (teplota topenia SiC je cca 2 730 °C), dokonale spĺňajúce prísne požiadavky súčasného prostredia výroby špičkových polovodičov.

Tento dizajnový držiak na jednu oblátku dokáže presne ovládaťepitaxný procesparametrov, čo pomáha vyrábať vysokokvalitné, vysokovýkonné polovodičové súčiastky. Jeho jedinečný štrukturálny dizajn zaisťuje, že s plátkom sa počas celého procesu manipuluje s maximálnou starostlivosťou a presnosťou, čím sa zabezpečuje vynikajúca kvalita epitaxnej vrstvy a zlepšuje sa výkon konečného polovodičového produktu.

Ako vedúca ČínaS povlakom SiCVýrobca a líder Wafer Holder, VeTek Semiconductor, môže poskytnúť prispôsobené produkty a technické služby podľa vašich požiadaviek na vybavenie a proces.Úprimne dúfame, že budeme vaším dlhodobým partnerom v Číne.

SEM ÚDAJE KRYŠTÁLOVEJ ŠTRUKTÚRY CVD SIC FILMU：

SEM DATA OF CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Základné fyzikálne vlastnosti CVD SiC povlaku:

Základné fyzikálne vlastnosti CVD SiC povlaku
Nehnuteľnosť	Typická hodnota
Kryštálová štruktúra	FCC β fáza polykryštalická, hlavne (111) orientovaná
Hustota	3,21 g/cm³
Tvrdosť	Tvrdosť 2500 Vickers (záťaž 500g)
Veľkosť zrna	2 ~ 10 μm
Chemická čistota	99,99995 %
Tepelná kapacita	640 J·kg^-1·K^-1
Teplota sublimácie	2700 ℃
Pevnosť v ohybe	415 MPa RT 4-bod
Youngov modul	Ohyb 430 Gpa 4pt, 1300 ℃
Tepelná vodivosť	300 W·m^-1·K^-1
Tepelná expanzia (CTE)	4,5 × 10^-6K^-1