> Správy > Správy z priemyslu

Správy z priemyslu

Polovodičový substrát wafer: Materiálové vlastnosti kremíka, GaAs, SiC a GaN

Článok analyzuje materiálové vlastnosti polovodičových substrátových doštičiek, ako sú kremík, GaAs, SiC a GaN

Technológia nízkoteplotnej epitaxie na báze GaN

Tento článok popisuje hlavne nízkoteplotnú epitaxnú technológiu na báze GaN, vrátane kryštálovej štruktúry materiálov na báze GaN, 3. požiadavky na epitaxnú technológiu a implementačné riešenia, výhody nízkoteplotnej epitaxnej technológie založenej na princípoch PVD a perspektívy vývoja nízkoteplotn......

Čítaj viac

Aký je rozdiel medzi CVD TaC a sintrovaným TaC?

Tento článok najprv predstavuje molekulárnu štruktúru a fyzikálne vlastnosti TaC a zameriava sa na rozdiely a aplikácie spekaného karbidu tantalu a CVD karbidu tantalu, ako aj na obľúbené TaC povlakové produkty VeTek Semiconductor.

Čítaj viac

Ako pripraviť povlak CVD TaC?

Tento článok predstavuje produktové charakteristiky povlaku CVD TaC, proces prípravy povlaku CVD TaC metódou CVD a základnú metódu detekcie morfológie povrchu pripraveného povlaku CVD TaC.

Čítaj viac

Čo je povlak z karbidu tantalu?

Tento článok predstavuje produktové charakteristiky povlaku TaC, špecifický proces prípravy produktov povlaku TaC pomocou procesu CVD a predstavuje najobľúbenejší povlak TaC od VeTek Semiconductor.

Čítaj viac

Prečo je povlak SiC kľúčovým základným materiálom pre epitaxný rast SiC?

Tento článok analyzuje dôvody, prečo je povlak SiC kľúčovým materiálom jadra pre epitaxný rast SiC, a zameriava sa na špecifické výhody povlaku SiC v polovodičovom priemysle.

Čítaj viac

<...3 4 5 6 7...10 >