Pevný nosič doštičiek SiC

Pevný nosič SiC doštičiek VeTek Semiconductor je navrhnutý pre prostredia odolné voči vysokej teplote a korózii v polovodičových epitaxných procesoch a je vhodný pre všetky typy procesov výroby doštičiek s vysokými požiadavkami na čistotu. VeTek Semiconductor je popredným dodávateľom doštičiek v Číne a teší sa, že sa stane vaším dlhodobým partnerom v polovodičovom priemysle.

Odoslať dopyt

Popis produktu

Pevný nosič doštičiek SiC je komponent vyrobený pre vysokoteplotné, vysokotlakové a korozívne prostredie polovodičového epitaxného procesu a je vhodný pre rôzne procesy výroby doštičiek s vysokými požiadavkami na čistotu.

Pevný nosič SiC plátku pokrýva okraj plátku, chráni plátok a presne ho umiestňuje, čím zaisťuje rast vysoko kvalitných epitaxných vrstiev. Materiály SiC sú široko používané v procesoch, ako je epitaxia v kvapalnej fáze (LPE), chemická depozícia z pár (CVD) a depozícia organických pár kovov (MOCVD) vďaka ich vynikajúcej tepelnej stabilite, odolnosti proti korózii a vynikajúcej tepelnej vodivosti. Pevný nosič SiC doštičky VeTek Semiconductor bol overený vo viacerých drsných prostrediach a môže účinne zabezpečiť stabilitu a účinnosť procesu epitaxného rastu doštičiek.

Vapor-phase epitaxial growth method

Pevný nosič doštičiek SiCVlastnosti produktu

● Stabilita pri extrémne vysokej teplote: Pevné nosiče doštičiek SiC môžu zostať stabilné pri teplotách až do 1500 °C a nie sú náchylné na deformáciu alebo praskanie.

● Vynikajúca chemická odolnosť proti korózii: Použitím vysoko čistých materiálov z karbidu kremíka môže odolávať korózii z rôznych chemikálií vrátane silných kyselín, silných zásad a korozívnych plynov, čím sa predlžuje životnosť nosiča plátku.

● Vysoká tepelná vodivosť: Pevné nosiče doštičiek SiC majú vynikajúcu tepelnú vodivosť a dokážu rýchlo a rovnomerne rozptýliť teplo počas procesu, čím pomáhajú udržiavať stabilitu teploty plátku a zlepšujú rovnomernosť a kvalitu epitaxnej vrstvy.

● Nízka tvorba častíc: SiC materiály majú prirodzenú nízku tvorbu častíc, čo znižuje riziko kontaminácie a môže spĺňať prísne požiadavky polovodičového priemyslu na vysokú čistotu.

Technické špecifikácie:

Parameter	Popis
Materiál	Pevný karbid kremíka vysokej čistoty
Použiteľná veľkosť oblátky	4-palcové, 6-palcové, 8-palcové, 12-palcové (prispôsobiteľné)
Maximálna teplotná tolerancia	Až do 1500°C
Chemická odolnosť	Odolnosť voči kyselinám a zásadám, odolnosť voči fluoridovej korózii
Tepelná vodivosť	250 W/(m·K)
Rýchlosť tvorby častíc	Ultra nízka tvorba častíc, vhodná pre vysoké požiadavky na čistotu
Možnosti prispôsobenia	Veľkosť, tvar a ďalšie technické parametre je možné prispôsobiť podľa potreby

Prečo si vybraťSemiconductor VeTekpevný nosný krúžok doštičky SiC?

● Spoľahlivosť: Po prísnom testovaní a skutočnom overení koncovými zákazníkmi dokáže poskytnúť dlhodobú a stabilnú podporu v extrémnych podmienkach a znížiť riziko prerušenia procesu.

● Vysokokvalitné materiály: Vyrobené z najkvalitnejších materiálov SiC, zaisťujú, že každý pevný nosič doštičiek SiC spĺňa vysoké štandardy odvetvia.

● Služba prispôsobenia: Podpora prispôsobenia viacerých špecifikácií a technických požiadaviek na splnenie špecifických potrieb procesu.

Ak potrebujete ďalšie informácie o produkte alebo chcete zadať objednávku, kontaktujte nás. Poskytneme odborné konzultácie a riešenia na základe vašich špecifických potrieb, ktoré vám pomôžu zlepšiť efektivitu výroby a znížiť náklady na údržbu.