keramický povlak z karbidu kremíka grafitový ohrievač

Semiconductor VeTek Ohrievač s keramickým povlakom z karbidu kremíkakombinuje vynikajúcu elektrickú a tepelnú vodivosť grafitu s vysokou teplotnou odolnosťou, odolnosťou proti korózii a odolnosťou proti opotrebovaniu kremíkového uhlíkového keramického povlaku a je navrhnutý pre drsné prostredie výroby polovodičov. 

Karbid kremíka keramický grafitový ohrievačsa používa hlavne vo vákuových poťahovacích (odparovacích) zariadeniach a bežne používané metódy sú PCD (Plasma Chemical Drying) a PVD (Physical vapor deposition). Tento produkt zohral dôležitú úlohu pri podpore technologického pokroku a zlepšovaní efektívnosti výroby v polovodičovom priemysle.Úprimne sa tešíme na ďalšiu spoluprácu s Vami.

Materiálové a konštrukčné vlastnosti keramického grafitového ohrievača z karbidu kremíka sú nasledovné:

Grafitový substrát: Grafit je známy svojou vysokou tepelnou vodivosťou a nízkym koeficientom tepelnej rozťažnosti. Dokáže rýchlo reagovať na zmeny teploty a udržiavať štrukturálnu stabilitu pri vysokých teplotách.

Silikónový uhlíkový keramický povlak: Povlak SiC je rovnomerne potiahnutý na povrchu grafitu chemickým naparovaním alebo inými pokročilými procesmi. SiC má extrémne vysokú tvrdosť a odolnosť proti chemickej korózii, čo môže chrániť grafitový substrát pred vysokoteplotnou oxidáciou a korozívnym prostredím.

Špeciálny konštrukčný dizajn produktu keramického grafitového ohrievača z karbidu kremíka určujenenahraditeľné produktové výhody tohto produktu v procese spracovania polovodičov:

Efektívne a rovnomerné vykurovanie:

Tepelná vodivosť: Vysoká tepelná vodivosť grafitu umožňuje ohrievaču rýchlo dosiahnuť a udržať požadovanú teplotu a povlak SiC zaisťuje rovnomerné rozloženie tepla. Toto je obzvlášť dôležité pre polovodičové procesy, ktoré vyžadujú presnú reguláciu teploty, ako je rýchle tepelné spracovanie (RTP) a chemické nanášanie pár (CVD).

Rovnomernosť teploty: Prostredníctvom rovnomerného rozloženia tepla môže grafitový ohrievač s keramickým povlakom z karbidu kremíka účinne znížiť tepelné namáhanie a teplotný gradient, čím sa zabezpečí konzistencia a stabilita kvality polovodičových doštičiek počas celého procesu zahrievania.

Antikorózna ochrana:

Chemická odolnosť: Odolnosť SiC povlaku proti chemickej korózii umožňuje ohrievaču pracovať stabilne a dlho v korozívnych plynoch a chemických prostrediach, čím sa zabráni poškodeniu grafitového substrátu. Táto vlastnosť je obzvlášť kritická pri procesoch, ako je chemická depozícia z plynnej fázy (CVD) a plazma zosilnená chemická depozícia z plynnej fázy (PECVD).

Odolnosť voči oxidácii: Pri vysokých teplotách môže povlak SiC zabrániť oxidácii grafitového substrátu, predĺžiť životnosť ohrievača a znížiť frekvenciu a náklady na údržbu zariadenia.

Znížte kontamináciu časticami:

Stabilita povrchu: Povlak SiC je nielen odolný proti opotrebovaniu, ale tiež zabraňuje vypadávaniu častíc z povrchu materiálu v dôsledku tepelných cyklov alebo chemických reakcií, čím sa znižuje riziko kontaminácie časticami, ku ktorej môže dôjsť počas výroby polovodičov, a zabezpečuje sa vysoká čistota prostredia procesu.

Zlepšite spoľahlivosť a efektivitu procesov:

Dizajn s dlhou životnosťou: Vďaka kombinácii mechanickej pevnosti grafitu a odolnosti povlaku SiC proti opotrebeniu môže grafitový ohrievač s keramickým povlakom kremíka udržiavať vysokoúčinnú prevádzku po dlhú dobu v náročných procesných podmienkach, čo výrazne zlepšuje celkovú spoľahlivosť zariadenia.

Efektívne využitie energie: Vysoká tepelná vodivosť grafitu a vysokoteplotná stabilita SiC povlaku umožňujú ohrievaču znížiť spotrebu energie a zároveň zlepšiť presnosť regulácie teploty, čím sa zlepšuje celková účinnosť výroby polovodičov.

Základné fyzikálne vlastnostiOhrievač s keramickým povlakom z karbidu kremíka:

Semiconductor VeTekOhrievač s keramickým povlakom z karbidu kremíkaobchodoch:

Prehľad priemyselného reťazca epitaxie polovodičových čipov:

/iný-proces